Samsung 990 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

Samsung 990 2 TB – Ydeevne

Samsung 990 2 TB leverer sekventielle læse- og skrivehastigheder på henholdsvis 7250 MB/s og 6450 MB/s, samt tilfældig læsning på 850000 IOPS og tilfældig skrivning på 1200000 IOPS. Samsung 990 2 TB er opført med NVMe 2.0-protokol og angiver konkrete sekventielle og tilfældige præstationsmål for denne model.

Grænseflade og protokol for Samsung 990 M.2

Samsung 990 M.2 benytter PCI Express 4.0 med x4 data baner og understøtter NVMe 2.0 over M.2-formfaktoren 2280 (22 x 80 mm); denne beskrivelse omfatter også betegnelsen Samsung 990 M.2. Grænsefladen er specificeret som PCI Express 4.0, og den fysiske M.2-størrelse angives som 2280.

Strøm og strømstyring

Strømforbrug er dokumenteret som 4,3 W ved læs, 3,8 W ved skriv og 0,055 W i inaktiv tilstand, mens DevSlp-tilstand bruger 3 mW; en driftsspænding på 3,3 V er angivet for enheden. 990 PCIe 4.0 2TB er desuden listet med DevSlp-support som en del af strømstyringsoplysningerne.

990 2TB NVMe – Sikkerhed og kryptering

990 2TB NVMe indeholder hardwarekryptering med 256-bit AES samt TCG Opal 2.0 for krypteringsadministration og understøtter standarder for krypteringsstyring. Krypteringsoplysningerne er specificeret som del af enhedens sikkerhedsfunktioner.

Administrationsfunktioner

Administrationsfunktioner inkluderer support for S.M.A.R.T. og TRIM, hvilket muliggør helbredsrapportering og vedligeholdelseskommandoer for enheden. Samsung 990 2TB er angivet som understøttende disse administrationsfunktioner i produktdataene.

Samsung 990 V-NAND – Fysiske mål og mekaniske egenskaber

Samsung 990 V-NAND har fysiske mål på 80,2 mm i bredde, 2,38 mm i dybde og 22,1 mm i højde samt en vægt på 0,08 kg; MTBF er angivet til 1500000 timer. Stød under drift er specificeret til 1500 G, og de mekaniske mål angives i millimeter sammen med vægten for denne M.2-enhed.

Model og revisionsoplysninger

Modelnummeret for denne enhed er MZ-V9V2T0BW, og kortets PCI Express CEM-revision er angivet som 4.0, hvilket fremgår af produktets tekniske data. Samsung 990 2 TB er listet med disse model- og revisionsoplysninger for identifikation og teknisk reference.

Drift og mekanisk belastning

Produktet er specificeret til 3,3 V driftsspænding og tåler stød under drift op til 1500 G; PCI Express-grænsefladen bruger x4 data baner for grænsefladens tilslutning. Yderligere dokumenterede mekaniske og elektriske specifikationer er angivet i produktets tekniske oversigt.