| Generelt | |
|---|---|
| Bredde | 24.3 mm |
| Dybde | 80 mm |
| Egenskaber | TRIM support, Affaldsindsamlingsteknologi, Device Sleep support, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T. |
| Enhedstype | Solid state-drev - intern |
| Grænseflade | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Hardware kryptering | Ja |
| Højde | 8.2 mm |
| Integreret kølelegeme | Ja |
| Kapacitet | 4 TB |
| Krypterings algoritme | 256-bit AES |
| Model | M.2 2280 |
| NAND Flashhukommelses-type | Fler-niveaus celle (MLC) |
| Vægt | 28 g |
| Præstation | |
| Intern datahastighed | 7450 MBps (læs) / 6900 MBps (skriv) |
| Maksimal 4 KB tilfældig læsning | 1600000 IOPS |
| Maximum 4KB Random Write | 1550000 IOPS |
| Driftssikkerhed | |
| MTBF (forventet tid mellem fejl) | 1,500,000 timer |
| Ekspansion og forbindelse | |
| Interface | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
| Kompatibel bås | M.2 2280 |
| Effekt | |
| Strømforbrug | 5.5 Watt (gennemsnitlig) | 55 mW (ledig) |
| Programmer & Systemkrav | |
| Med software | Samsung Magician Software |
| Diverse | |
| Overensstemmelsesstandarder | IEEE 1667 |
| Miljømæssige parametre | |
| Maks. driftstemperatur | 70 °C |
| Min. driftstemperatur | 0 °C |
| Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) | 1500 g |
| Modstandsdygtighed over for stød (operativ) | 0,5 ms halv-sinus |
